65W氮化鎵GaN快充方案由PN8783、PN8307P套片組成，PN8783具有卓越的環(huán)路穩(wěn)定性、高功率密度、低待機(jī)功耗等明顯優(yōu)勢(shì)。PN8307P采用自適應(yīng)死區(qū)控制，支持反激變換器的DCM/QR工作模式，實(shí)現(xiàn)同步整流。

　　

　　一、方案概述　　

　　■ 小尺寸設(shè)計(jì)：51mm(L)X29mm(W)X20mm(H)　　

　　■ 輸出規(guī)格：5V3A，9V3A，15V3A，20V3.25A　　

　　■ 高效率：滿(mǎn)載效率94.0%（230V），滿(mǎn)足CoC V5 Tier2能效規(guī)范　　

　　■ 低待機(jī)功耗：小于75mW　　

　　■ 寬供電范圍：支持PD3.0協(xié)議

　　

　　二、芯片特性　　

　　PN8783 內(nèi)置高性能700V GaN FET，典型轉(zhuǎn)換效率大于93%；采用QR-Lock控制技術(shù)，大幅提高環(huán)路穩(wěn)定性；最高支持500kHz工作頻率，可以有效減小變壓器及輸出電容體積，顯著提升充電器功率密度；內(nèi)置800V高壓?jiǎn)��?dòng)管，待機(jī)功耗輕松滿(mǎn)足75mW；同時(shí)具有優(yōu)異全面豐富的保護(hù)功能。

　　

　　PN8307P內(nèi)置100V/7mΩ智能MOSFET，快速關(guān)斷+自適應(yīng)死區(qū)控制提高M(jìn)OSFET Rdson利用率，顯著降低溫升，專(zhuān)利輕載模式可降低待機(jī)功耗，具有超高性?xún)r(jià)比。

　　

　　三、DEMO實(shí)物圖　

　

　　65W GaN快充方案demo如上圖所示，尺寸僅為51mmx29mmx20mm，外圍精簡(jiǎn)。

　　

　　四、原理圖（功率部分）

　　

　　五、效率測(cè)試

　　

　　六、空載待機(jī)功耗

　　

　　七、EMC測(cè)試　　

　　● EMI傳導(dǎo)、輻射滿(mǎn)足EN55032 Class B標(biāo)準(zhǔn)要求，裕量均大于6dB　　

　　● ESD滿(mǎn)足IEC 61000-4-2，8kV/15kV等級(jí)要求　　

　　● EFT滿(mǎn)足IEC 61000-4-4: 2004，4kV等級(jí)要求　　

　　● Surge滿(mǎn)足IEC 61000-4-5:2005，2kV等級(jí)要求　　

　　● 交流絕緣滿(mǎn)足3.75kVac要求。

　　

　　65W氮化鎵GaN快充方案PN8783+PN8307P，采用精準(zhǔn)鎖谷底QR-Lock控制技術(shù)相比傳統(tǒng)QR，整體工作頻率更高、環(huán)路穩(wěn)定性更佳，滿(mǎn)載效率94.0%（230V），待機(jī)功耗小于75mW，更多GaN快充方案規(guī)格、線路圖紙、變壓器設(shè)計(jì)、測(cè)試數(shù)據(jù)及應(yīng)用要點(diǎn)等資料，請(qǐng)向芯朋微代理驪微電子申請(qǐng)。>>