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ID2006 200V半橋驅(qū)動(dòng)芯片
所屬分類(lèi)：芯朋電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片
品牌：芯朋微/安趨
型號(hào)：ID2006SEC-R1
封裝：SOP8
功率：6V~18V
電流：1A/1A
型號(hào)：ID2006SEC-R1
封裝：SOP8
功率：6V~18V
電流：1A/1A
訂購(gòu)熱線(xiàn)：0755-23087599
ID2006芯片是一款基于P襯底、P外延工藝的高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)芯片，具有獨(dú)立的高低邊參考輸出通道。該浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高側(cè)配置的N溝道功率MOSFET，工作電壓高達(dá)200V。輸入信號(hào)可以兼容CMOS和LSTTL信號(hào)，邏輯輸入電平低至33V。具有大電流輸出能力。
ID2006芯片特性
■ 高側(cè)浮動(dòng)偏移電壓200V
■ 輸入邏輯兼容3.3V/5V
■ dV/dt抗干擾能力±50V/nsec
■ 芯片工作電壓范圍6V~18V
■ 拉/灌電流能力典型值1A/1A
■ VS負(fù)偏壓能力典型值-9V
id2006驅(qū)動(dòng)芯片封裝及引腳
id2006驅(qū)動(dòng)芯片封裝及引腳
驅(qū)動(dòng)芯片id2006工作原理圖
備注1：RB值建議使用10Ω，BSD采用超快恢復(fù)或肖特基二極管。
備注2：CBS值根據(jù)PWM控制條件而定。
備注3：驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)根據(jù)所使用的MOSFETs進(jìn)行調(diào)整。
備注4：MOSFETs柵極和源極之間的下拉電阻，建議為10kΩ。
備注5：HIL/LIN和MCU之間的電阻器，建議值為100-1kΩ。
應(yīng)用領(lǐng)域
■ 中小型功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)
■ 功率MOSFET驅(qū)動(dòng)
■ 半橋功率逆變器
■ 全橋功率逆變器
■ 任意互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)換器
ID2006 200V半橋驅(qū)動(dòng)芯片是高低側(cè)半橋驅(qū)動(dòng)芯片，具有防直通功能、輸入功率電壓高達(dá) 200V， 6-18V 寬范圍工作電壓范圍、1A/1A 拉灌電流能力、輸入兼容 3.3V, 5V 邏輯工作電平，典型應(yīng)用于電動(dòng)車(chē)、電動(dòng)平衡車(chē)等領(lǐng)域，更多id2006驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)品手冊(cè)及應(yīng)用資料請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
