氮化鎵GaN作為一種第三代半導體材料，近幾年在消費類電源市場中得到了廣泛應用，目前商用的氮化鎵直驅控制器多為國外廠商產品，最為經典的代表是安森美NCP1342，同時伴隨著半導體國產化的趨勢，本土電源芯片企業芯朋微推出了PN8213氮化鎵控制器，相比NCP1342而言，采用了內置驅動的設計，成本更低，可以直驅氮化鎵功率器件，不僅在性能、穩定性和可靠性方面迎頭趕上，更在適應多樣化應用需求方面具備了更大的靈活性。

　　

　　近期品勝推出了一款65W氮化鎵快充，初級主控芯片采用芯朋號PN8213，是一顆高頻準諧振開關電源控制器，品勝65W氮化鎵快充具備2C1A三個快充接口。其中兩個USB-C接口均支持65W輸出，支持功率盲插。同時還支持45+18W功率自動分配策略，可以滿足電腦和手機兩臺設備同時快充需求，和蘋果61W充電器直觀對比，體積優勢明顯。

　　

　　PN8213是一顆高頻準諧振開關電源控制器，芯片集成高壓啟動，支持多模式控制，實現全負載范圍的高效率和低待機功耗表現。芯片內置頻率調制技術和Soft-Driver技術，提升系統的EMI性能，并且還內置了線電壓補償模塊，提高了全輸入電壓范圍的帶載能力一致性。

　　

　　PN8213還內置了全面的保護功能，包括逐周期過流保護、輸入電壓保護、輸出過壓保護、雙重過熱保護、次級整流管短路保護以及過載保護等保護功能。芯片采用SSOP10封裝，支持手機充電器和適配器使用。

　　

　　芯朋65W PN8213快充方案　　

　　■ 輸入規格：90Vac~264Vac　　

　　■ 輸出規格：5V3A，9V3A，15V3A，20V3.25A　　

　　■ 高效率：滿載效率93.2%（230Vac），滿足CoC V5 Tier2能效規范　　

　　■ 低待機功耗：小于75mW　　

　　■ 寬供電范圍：支持PD3.0協議　　

　　■ 控制芯片：PN8213+PN8307P+AP2080

　　

　　方案由PN8213、PN8307P、AP2080三顆套片組合，搭配GaN或者SuperJunction器件，具有高環路穩定度、高功率密度、50mW低待機功耗、100V全集成同步整流等多重亮點。

　　

　　芯朋100W PN8213多口充方案　　

　　■ 輸入規格：90Vac~264Vac 　　

　　■ 輸出規格：5V3A，9V3A，12V3A，15V3A，20V5A　　

　　■ 高效率：滿載效率94.0%（230Vac），滿足CoC V5 Tier2能效規范 　　

　　■ 低待機功耗：小于75mW　　

　　■ 寬供電范圍：支持PD3.0協議　　

　　■ 控制芯片：PN8280+PN8213+PN8601+AP2968

　　

　　100W多口快充方案由PN8280+PN8213+PN8601+AP2968四顆套片組合，具有超高性價比、低諧波電流失真、低待機功耗、高轉換效率等突出亮點。

　　

　　PN8213內置800V高壓啟動管和X電容放電功能，待機功耗小于50mW，是基于QR-lock控制的反激芯片，實現真正QR-Lock技術，環路高度穩定，與海外友商相比，具備“三高一少”壓倒性優勢替代，1/4負載轉換效率高于1%以上，啟動HV耐壓高出100V，VDD耐壓高出30V，外圍少2-4顆（OVP復用），具有市電欠壓保護、輸出過壓保護、原副邊防直通保護、過載保護、過溫保護等，進口替換的適配度更高，最高支持500kHz工作頻率，減小變壓器及輸出電容體積；典型轉換效率大于93%，提升充電器功率密度，更多PN8213產品手冊、變壓器資料、BOM表等相關資料請向芯朋微代理驪微電子申請。>>