PN8143T內(nèi)部集成了脈寬調(diào)制控制器和功率MOSFET，專用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的交直流轉(zhuǎn)換開關(guān)電源。該芯片提供了極為全面和性能優(yōu)異的智能化保護(hù)功能，包括周期式過流保護(hù)（外部可調(diào)）、過載保護(hù)、過壓保護(hù)、CS短路保護(hù)、軟啟動(dòng)功能。通過Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三種脈沖功率調(diào)節(jié)模式混合技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超低的待機(jī)功耗、全電壓范圍下的最佳效率。良好的EMI表現(xiàn)由頻率調(diào)制技術(shù)和Soft Driver技術(shù)充分保證。該芯片還內(nèi)置智能高壓?jiǎn)��?dòng)模塊。PN8143T為需要超低待機(jī)功耗的高性價(jià)比反激式開關(guān)電源系統(tǒng)提供了一個(gè)先進(jìn)的實(shí)現(xiàn)平臺(tái)，非常適合六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)、Eur2.0、能源之星的應(yīng)用。

　　

　　PN8143T芯片特征　　

　　■內(nèi)置1000V高雪崩能力的功率MOSFET　　

　　■ Hi-mode（60kHz PWM）　　

　　■ Eco-mode（動(dòng)態(tài)PFM）　　

　　■ Burst-mode （25kHz間歇工作模式）　　

　　■ 改善EMI的頻率調(diào)制技術(shù)　　

　　■ 空載待機(jī)功耗 < 75 mW @230VAC　　

　　■ 軟啟動(dòng)技術(shù)　　

　　■ 內(nèi)置高壓?jiǎn)��?dòng)電路　　

　　■ 內(nèi)置線電壓補(bǔ)償和斜坡補(bǔ)償　　

　　■ 優(yōu)異全面的保護(hù)功能： 過溫保護(hù)（OTP）、過載保護(hù)（OLP）、外部電阻可調(diào)式周期過流保護(hù)（OCP）、過壓保護(hù)（OVP）、 CS短路保護(hù)。

　　

　　封裝/訂購信息

　　

　　典型應(yīng)用電路圖

　　

　　應(yīng)用領(lǐng)域　　

　　■ 開關(guān)電源適配器和電池充電器　　

　　■ 白色家電、個(gè)人電腦、音響等輔助電源　　

　　■ LCD電視機(jī)輔助電源

　　

　　PN8143TSEC-R1電源芯片采用SOP8封裝，典型功率85~265 VAC是8W，內(nèi)置1000V高雪崩能力的功率MOSFET，典型應(yīng)用于智能電表、斷路器等產(chǎn)品，更多PN8143T三相智能電表芯片產(chǎn)品手冊(cè)及應(yīng)用資料請(qǐng)向我們申請(qǐng)。>>